第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

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昨天（8月9日），九峰山实验室发文称，他们的6吋SiC中试线于8月1日全面通线，实现了首批沟槽型SiC MOSFET器件晶圆下线。

据介绍，九峰山实验室已经形成了碳化硅沟槽器件制备的自主IP成套工艺技术能力，在4个月内连续攻克碳化硅（SiC）器件刻蚀均一性差、注入后翘曲度高、栅极底部微沟槽等十余项关键工艺问题。

实验室开发了低表面粗糙度、高激活率的高温高能离子注入与激活工艺，实现了低沟槽表面粗糙度刻蚀，打通了高厚度一致性及均一性、低界面态密度沟槽栅氧介质结构及工艺，制定并实施了低阻n型和p型欧姆接触的合金化技术方案，系统性地解决了一直困扰业界的沟槽型碳化硅MOSFET器件的多项工艺难题。

此外，该实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。

九峰山实验室首席运营官赵勇此前表示，九峰山实验室规划建设三条中试线，除了这次的6吋碳化硅中试线外，今年3月，其8英寸中试线正式通线运行，首批晶圆（高精密光栅）成功下线。预计今年10月份其4英寸中试线也将通线。

据悉，湖北九峰山实验室于2021年成立，实验室聚焦化合物半导体，主要涉及以下工艺领域：SiC、GaN、InP、GaAs、化合物相关MEMS、特种先进封装和多材料集成。

九峰山实验室位于湖北武汉市东湖开发区，根据武汉日报的报道，东湖高新区将启动建设九峰山科技园，规划面积10平方公里，将建设碳化硅器件、氮化镓器件等量产线。

来源：行家说三代半等

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察（重点企业或园区）

最新日程如下

*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。

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